收藏本站
CPH5871
Embossed Taping Speci ? cation
CPH5871-TL-H
No. A1401-5/7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
CPH6337-TL-E MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6
CPH6341-TL-E MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
CPH6347-TL-H MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
CPH6350-TL-E MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
CPH6354-TL-H MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
CPH6355-TL-H MOSFET P-CH 30V 3A CPH6
CPH6442-TL-E MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
CPH6443-TL-H MOSFET N-CH 35V 6A CPH6
相关代理商/技术参数
CPH5871-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式） 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000
CPH5901 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifier. AM Amplifier. Low-Frequency Amplifier Applications
CPH5901_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifier. AM Amplifier. Low-Frequency Amplifier Applications
CPH5901F-TL-E 功能描述:JFET NCH J-FET+BIP NPN TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
CPH5901G-TL-E 功能描述:JFET NCH J-FET+BIP NPN TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
CPH5902 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
CPH5902_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifier. AM Amplifier. Low-Frequency Amplifi er Applications
CPH5902G-TL-E 功能描述:JFET NCH J-FET+BIP NPN TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel